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刨除远场光刻技术的缺点。
第一代光刻机和出口阉割本光刻机,还有第二个致命缺点,就是加工的周期比较长。
处理复杂图案的时候,需要多次对准,多次曝光。
就延长了加工周期。
增加了时间成本。
要是芯片需要多层结构或多个工艺,加工中心还会进一步延长,导致加工的时间成本更高。
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第三个缺点是对使用环境的要求。
传统光刻机需要洁净的加工车间,以保证光刻胶和样品不受污染,就需要高规格的加工车间。
高洁净度车间的成本,也会经常在加工成本内。
进一步增加了芯片的成本。
同时。
第一代光刻机和出口版的光刻机,维护也相对复杂,也变相增加了芯片成本。
总的来说。
00第一代光刻机和出口版光刻机,加工精度低,加工成本高,操作不方便,维护起来也很复杂。
注定了第一代和出口版肯定会被淘汰。
但肯定不是现在。
第二代光刻机采用的近场光刻技术,把光刻胶和掩膜之间的距离,缩小到只有光波长的尺寸。
距离近。
更易实现高分辨率。
更容易提升加工的精度。
尽管近场光刻技术精度已经很高,万兴邦还是不太满意。
其一。
近场光刻技术复杂度高,操作难度大。
需要高精度探针,或者接触式探头,对控制和操作的精度要求也很高。
高精度探针制作难度大,成本高,对制造工艺和设备要求有些苛刻,这还只是其中一个缺点近场光刻技术的第二个缺点是速度!这才是万幸帮最在意的。
近场光刻技术工作的时候,需要逐点或逐行转移,相比接触式光刻机技术,速度肯定慢很多。
。
这是机制上的问题。
不是光改善其他技术就能追上的。
逐点或逐行转移的加工机制,对于需要通量高和大面积图案的,适用性很低。
而这是未来的趋势。
未来的芯片越来越复杂,需要的通量越来越高,也会越来越大,普通近场光刻技术逐渐过时。
同时。
近场光刻技术由于自身短板,对加工芯片的尺寸和形状也有一定限制。
在加工一些特殊芯片的时候,速度更慢,效率更低,还会降低成功率,增加芯片的制造成本。
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